日前，传出美光正式推出了176层的堆叠3D TLC NAND闪存，将闪存的堆叠层数提升至了新的高度。新的3D TLC NAND闪存颗粒，自然要先给自家人安排上，这不，美光旗下第一款PCIe 4.0的NVMe SSD——P5Plus便用上了这一最新技术。
176层堆叠意味着什么
从型号上判断，P5 Plus是英睿达上半年发布的PCIe 3.0旗舰SSD——P5的升级版本，英睿达P5虽然在Gen.3产品中发布较晚，不过在与西数SN730、三星PM981这样的流量级产品相比，凭借不错的美光自研主控性能和缓外表现，速度上算是顶到Gen.3的天花板，在同级产品中有着非常亮眼的表现。作为第一款Gen.4产品，我们看到P5 Plus采用了和P5布局完全相同的单面排布设计，以我手里这块1TB产品为例，依旧是两颗500GB的闪存颗粒，不过其技术已经由原来的96层3D TLC颗粒升级为176层的3D TLC颗粒。
在众多厂商中，美光是第一家完成176层TLC NAND闪存量产的厂商。自从解除和英特尔共同研发的合作后，美光迅速走完了128层的过渡节点，迅速将产品提升至176层（P5到P5 Plus便直接从96层跃升至176层的设计）。与96层相比，其接口速度从1200MT/s提升至1600MT/s，读（写）延迟提高了35%以上;與128L NAND相比，读（写）延迟提高了25%以上。与使用96层NAND的UFS 3.1模块相比，美光芯片的总体混合工作负载改善了约15%。堆叠层数的增加，将直接提升原始数据传输率，能耗控制也更加出色。
不仅如此，建立在3D替代栅级（RG）技术的176层堆叠技术已经是美光的第五代3D NAND闪存，相比采用之前64层、96层闪存是采用的FT浮栅结构，这种设计显著减少了传统NAND中限制性能的单元间电容耦合问题，所以它在提升堆叠层数的同时，进一步提升了闪存构架的密度。按美光公布的数据来看，176层NAND的厚度仅为一张打印纸的五分之一，跟之前的64层NAND颗粒厚度相同。而且美光此次推出176层闪存类型是TLC NAND颗粒，比起QLC有着更好的耐久性。
初尝Gen.4的P5 Plus
将176层堆叠技术放在第一款消费级PCIe 4.0产品上，美光应该说是明显的市场意图，希望借英睿达P5 Plus稳定的性能表现进一步提升176层3DNAND的出货量，降低颗粒成本。我们来看看P5 Plus的具体配置：
P5 Plus采用了M.2 2280的尺寸规格，支持PCIe 4.0×4通道、NVMe1.4协议，提供从500GB～2TB的三种容量规格，由此可以看出，P5 Plus依旧提供最大1TB容量的颗粒，维持单面PCB设计（单面设计可满足在笔记本电脑中使用）。
