受2020年疫情冲击以及5G手机、通用服务器等需求端的影响，存储芯片景气上行，于2021年到达周期顶点，尔后周期性回落，目前下行时间已持续超过1.5年。存储芯片价格持续下降，2022年四季度起，以美光、三星等为代表的海外龙头厂商下调资本开支，减少晶圆的供给，行业进入减产周期。2023年二季度，头部厂商库存呈下降趋势，周转速度提升，而价格降幅已达历史高点，各厂商利润收缩，下游需求的弱复苏导致周期底部拉长至2023年三季度，行业预计存储周期拐点将至。

随着存储安全上升至国家战略地位，海外大厂持续退出利基市场，国产厂商崭露头角，迎来成长良机。未来AI模型逐渐复杂化，将刺激更多的存储器用量，带动服务器DRAM、企业级SSD以及HBM的需求成长。

供给收缩 价格触底 

存储芯片每隔3-4年经历一轮周期，上行和下行周期均为1.5-2年，本轮下行周期自2021年四季度开始，持续时间已超过1.5 年。以DRAM芯片为例，2014年二季度、2017年四季度和2021年三季度是价格顶部，2016年二季度和2019年四季度是价格底部，本轮周期DRAM价格于2021年三季度见顶，目前下行周期持续时间已超过1.5年，2023年6月DRAM现货价格环比跌幅较小且明显趋缓，DDR4 4Gb的合约价格、DDR4 8Gb的合约价、DDR3 4Gb的现货价格均已跌破上一轮周期底部价格，本轮存储器周期底部渐近。

龙头厂商相继削减资本开支，成熟产品、新品投产放缓。据统计，三星电子、SK海力士、美光和西部数据2023年的资本开支同比下降19%，超过2019年的13%；旺宏电子、华邦电子和南亚科技2023年资本开支同比下降46%，超过2019年的34%。

铠侠自2022年10月起对日本四日市和北上市的NAND工厂减产30%，SK海力士在2022年四季度减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能。2023年2月，西部数据宣布将把NAND闪存晶圆的产量减少到当时水平的30%。美光自2022年11月将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，近期又将开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年。三星电子2023年4月宣布减产计划，7月预计将DRAM存储器月产量削减至62万片，同比减少12%以上，创下公司2021年三季度以来DRAM产量的新低。

截至2023年7月6日，服务器、PC主流存储器产品以及手机主流存储器产品与2021年5月高点时比降价幅度在60%-70%，部分DRAM、3D NAND以及SLC NAND、DDR3、NOR Flash利基型存储产品已经跌破现金成本价。